Продукциянең үзенчәлеге: Ярымүткәргечле пластиналарны җылыту өчен лазер белән җылыту

Пластинаны җылыту - ярымүткәргечләр җитештерүдә мөһим процесс, ул легирлауны активлаштыруны, челтәрне торгызуны һәм ультра сай тоташуны (USJ) формалаштыруны үз эченә ала. Гадәти мичне җылыту һәм тиз термик эшкәртү (RTP) югары термик бюджетлардан, легирлау диффузиясенең начар контрольдә тотылуыннан һәм бердәмлекнең җитәрлек булмавыннан интегә, бу аларны 7 нм, 5 нм һәм аннан да югарырак диапазондагы алдынгы технологик төеннәр өчен, аеруча Gate-All-Around (GAA) архитектуралары һәм 3D NAND флеш-хәтер өчен яраксыз итә. Лазер нигезендәге легирлау, үзенең вакытлыча югары энергияле нурландыруы, микрон масштаблы киңлек төгәллеге һәм минималь термик диффузиясе белән, бу катлаулы җитештерү таләпләрен канәгатьләндерү өчен киләсе буын төп процессы буларак барлыкка килде.

Лазер җылытуның төп принцибы

Wave Optics лазер җылыту башы пластина өслекләрен төгәл нурландыру өчен югары энергияле, термик яктан бердәм лазер нурларын бирә торган патентланган оптик дизайнга ия. Яшел лазер кремний нигезендәге материаллар (шул исәптән SiC) белән бик яхшы абсорбция туры килүен тәкъдим итә, бу пластинага зыян китермичә югары нәтиҗәле термик эшкәртү мөмкинлеген бирә. Бу ион имплантацияләнгән зарарланган катламның яңадан кристаллашуын һәм нәтиҗәле кушылма активлаштыруны җиңеләйтә. Аннары, субстратның югары җылылык үткәрүчәнлеге ультра тиз суытуга мөмкинлек бирә, бу рәшәткә структурасын туңдыра һәм кушылма диффузиясен бастыра. Бу процесс югары активлаштыру нәтиҗәлелеге һәм текә (кискен) кушылма профиле белән ультра сай тоташуларны уңышлы рәвештә барлыкка китерә.

Лазер белән җылыту пластина эшкәртү нәтиҗәлелеген арттыру өчен бик мөһим

1. Нурның бердәмлеге: Яссы өслекле нур ноктасының энергия бердәмлеге 95% тан артып китә (гадәти), бу җирле артык эрүне яки җитәрлек дәрәҗәдә яндырылмауны бетерә.
2. Энергия тотрыклылыгы: Чыгу энергиясенең өзлексез тирбәнеше 2% тан түбән, бу пластиналар арасындагы һәм партиядән партиягә кадәрге консистенцияне тәэмин итә.
3. Өслек фигурасы төгәллеге: Оптик компонентлар нанометр масштабындагы PV/RMS кыйммәтләренә ия, алар дулкын фронты бозылуын яхшы контрольдә тоталар, бу кайнар нокталарның зыян китерүен булдырмый.
4. Фокус тирәнлеге һәм нур формалаштыру: Фокус тирәнлеген көйләү мөмкинлеге нур интеграторы гомогенизациясе белән берләштерелгән, зур диаметрлы пластиналарны тулы кырлы сканерлауны тәэмин итә.
5. Дулкын озынлыгын туры китерү: Энергия куллану нәтиҗәлелеген максимальләштерү өчен кремний һәм өченче буын ярымүткәргечләрнең (мәсәлән, SiC, GaN) югары абсорбцияле дулкын полосалары өчен оптимальләштерелгән.

Гадәти җылытуга караганда өч төп өстенлек

1. Кушылма диффузиясен бик яхшы бастыру - Җылылык йогынтысы наносекундтан миллисекундка кадәр диапазон белән чикләнә, кушылма диффузиясе нульгә якын, бу мөмкинлеккә мичтә җылыту яки RTP белән ирешеп булмый.

2. Түбән җылылык чыгымнары һәм җайланмага минималь зыян - Вафли өслеге генә вакытлыча югары температураларны кичерә, нәтиҗәдә нигезнең яки ​​җайланма структураларының җылылык деформациясе һәм өслекләрнең бозылуы булмый.

3. Төгәл сайлап алу өлкәсендә ялтырату - Көйләнә торган микрон масштаблы нур нокталары 3D интеграция һәм гетероген интеграцияләнгән җайланмалар өчен локаль ялтыратуны хуплый.

Кушымта сценарийлары

Куллану өлкәләренә чыганак/агымны активлаштыру, каналларны ремонтлау һәм алдынгы логика (GAA/CFET), DRAM/3D NAND, SiC/GaN көч җайланмалары, SOI һәм микро/нано җайланмалар өчен ом контактлы җылыту керә. Лазерлы җылыту бер үк вакытта җайланманың нәтиҗәлелеген һәм эшчәнлеген яхшырта.

Лазер белән эшкәртү пластина эшкәртүне глобаль (ябык) эшкәртүдән төгәл җирле эшкәртүгә күчерә. Аның көчле оптик технологиясе алдынгы ярымүткәргеч төеннәрнең масштабын һәм җитештерүчәнлеген дәвам иттерүне хуплый.

Продукциянең спецификациясе бите